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阀门技术

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  三家

  CCZ技术,光伏单晶硅技术的重大变革。当前广泛使用的单晶硅生长技术为RCZ技术,最高达到一炉4~5根晶棒拉制,已接近上限。CCZ技术可实现一炉8~10根晶棒拉制,效率进一步提升、成本大幅降低,且拉制晶棒均匀性好、含氧量低、电阻率均衡,产品质量更加优良,是单晶硅生长技术的趋势性变革。

  

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  CCZ技术已诞生超过20年。长期以来,两大问题困扰CCZ技术大规模生产:1)CCZ技术对于复投料质量要求高,需要使用高品质颗粒料;2)坩埚使用寿命短,限制了CCZ技术复用次数。目前,FBR(硅烷流化床法)可制备高品质颗粒料,通过特殊设计的高品质坩埚可达到CCZ技术使用寿命要求,这两项问题的突破使得CCZ技术推广成为可能。

  

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