p型电池片结构？

　　1.P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)、复合层(5)、N型层(6)、P型基体(7)、背面钝化膜(8)和背面电极(9)。 2.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述P型基体(7)为单晶或多晶硅片，N型层(6)的掺杂剂含磷浆料。

　　3.根据权利要求2所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述含磷浆料为POCl3、PH3中的至少一种。 4.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述背面电极(9)的材质为银浆或银/铝浆，复合层(5)为本征非晶硅，其厚度为1-10nm。 5.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述空穴传输层(4)的材料为有机物或无机物，当为有机物时，空穴传输层(4)为spiro-MeTAD、PTAA或PEDOT-PSS。 6.根据权利要求5所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述空穴传输层(4)为无机物时，空穴传输层(4)的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、B12O3、M0O2、Cr203或含Cu(l)的化合物。 7.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述透明导电膜(1)为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，透明导电膜(1)的厚度为50～500nm，透明导电膜(1)的材料为TiO2、SiO2、ZrO2、Al2O3或ZnO。