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MOS是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和漏级D间导电通路就形成。
这个电流通路的电阻被成为MOS内阻,也就是导通电阻。
这个内阻大小基本决定了MOS芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。MOS问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。
所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以MOS源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
关断过程和这个相反
电源控制芯片控制mos功率管的导通和截止,也就是输出脉冲占空比,经过开关变压器电磁耦合,次级整流滤波得到输出电压