三管动态RAM芯片哪三管？

　　T1T2T3为三个MOS管，T4为预充电管

　　读操作：

　　1、T4管放置预充电信号，读数据线达到高电平Vdd

　　2、读数据线打开T2

　　3、如果极间电容Cg原存“1”（高电荷），T1导通，因为此刻T2T1导通后接地，读数据线电平降为（低电荷），读出“0”

　　4、如果极间电容Cg原存“0”（低电荷），T1截止，读数据线电平不变，读出“1”

　　5、读出线因为电平改变，读出信息与原信息相反

　　写操作：

　　1.写数据线有效 T3管导通

　　2.如果写入数据为1，写数据线为高电平，通过T3向Cg进行充电，Cg中保存1

　　3.如果写入数据为0，写数据线为低电平，通过T3向Cg进行放电，Cg中保存0

　　4.写入信息与输入信息完全相同